貼り合せ技術の概要

単結晶SiC基板と多結晶SiC基板を研磨し、単結晶基板にイオン注入のうえで常温接合、そして熱剥離することにより、多結晶基板上に薄い単結晶層を形成します。

貼り合せ基板の優位性

右図に示します様々な特性により、お客様の製品および工程の改善に貢献いたします。

参考：2019年先進パワー半導体分化会発表「低コストな貼り合わせSiC基板を用いたSBDデバイス特性評価」
参考：2020年先進パワー半導体分化会発表「貼り合せSiC基板を用いた熱処理不要なオーミックコンタクトの実現」
参考：2020年先進パワー半導体分化会発表「3C-SiC多結晶と4H-SiC単結晶の貼り合わせ基板上に形成されたパワーデバイスのI-V特性評価」
参考：2022年先進パワー半導体分化会発表「4H-SiC接合基板上に形成された4H-SiC PiNダイオードの順方向バイアス劣化評価」